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Gamry 的 eQCM 10M? 是一種快速進行阻抗掃描的電化學石英晶體微天平 (EQCM)。對于任何研究界面過程的人員而言，EQCM 是其工具箱中有價值的工具之一。腐蝕、離子嵌入、離子吸附、聚合物增長和傳感器綁定事件均為引起質量變化的界面過程。這些質量變化可以通過監控震蕩的石英晶體的共振頻率來測量。 特色 任何池中 1-10 MHz 的任何晶體 可檢測到ng/cm2的質量變化 USB 接口 集成的 QCM 和 Gamry 恒電位儀采集 阻抗掃描有 fs 和 fp，即串聯諧振和并聯諧振頻率 在 Gamry 靈活和可定制的 Echem Analyst? 中進行數據分析

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電化學石英晶體分析儀可分析測試液體的成分、電合成、電沉積、元素的嵌入與脫出、電聚合以及微質量測量等研究課題。QCM922A是QCA922的全新升級產品，可同時通過晶振片頻率和電阻的變化來檢測微小的質量和粘度變化，同樣可測試電導的頻率特征。QCM922A測試頻率高達30MHz，測試靈敏度更高，且測試速度達到10毫秒。應用領域：●  生物聚合物相互作用的表征，如蛋白質●  高分子的形成和分解的實時監測●  采用EQCM對鋰離子二次電池進行評價●  氣相分析，如濕度及有氣

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**********儀器簡介**********QCM-D技術的核心是石英晶體傳感器，它由石英晶體夾在兩片電極中間形成三明治結構。在電極兩端加入一個交流電壓，在傳感器的共振頻率處引發一個小的剪切振動，當交流電壓關閉后，振動呈指數衰減，這個衰減被記錄下來，得到共振頻率(f)和耗散因子(D)兩個參數。對于薄層硬質薄膜，可以使用Sauerbrey關系和公式，根據傳感器振動計算吸附層的質量。當沉積的薄膜松散和粘性時，能量通過薄膜上的摩擦被消耗，傳感器的振動發生衰減，耗散因子提供了傳感器上吸附的薄膜的結構信息。通過

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QCM-I 耗散型石英晶體微天平是基于對石英晶片進行阻抗分析基礎上的高度靈敏的質量傳感器，能夠測量石英晶片或所吸附薄膜的頻率變化及能量耗散，進而分析反應過程中微小的質量變化，吸附層厚度變化等；能夠判斷膜的剛性或柔性，并且分析膜的粘彈性方面的性質；以及實時追蹤分子排列、結構變化等。儀器提供單通道、多通道多種配置；可以單獨使用，也可與電化學工作站同步聯用。

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電化學石英晶體分析儀可分析測試液體的成分、電合成、電沉積、元素的嵌入與脫出、電聚合以及微質量測量等研究課題。QCM922A是QCA922的全新升級產品，可同時通過晶振片頻率和電阻的變化來檢測微小的質量和粘度變化，同樣可測試電導的頻率特征。QCM922A測試頻率高達30MHz，測試靈敏度更高，且測試速度達到10毫秒。應用領域：●  生物聚合物相互作用的表征，如蛋白質●  高分子的形成和分解的實時監測●  采用EQCM對鋰離子二次電池進行評價●  氣相分析，如濕度及有氣

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Gamry 的 eQCM 10M? 是一種快速進行阻抗掃描的電化學石英晶體微天平 (EQCM)。對于任何研究界面過程的人員而言，EQCM 是其工具箱中有價值的工具之一。腐蝕、離子嵌入、離子吸附、聚合物增長和傳感器綁定事件均為引起質量變化的界面過程。這些質量變化可以通過監控震蕩的石英晶體的共振頻率來測量。 特色 任何池中 1-10 MHz 的任何晶體 可檢測到ng/cm2的質量變化 USB 接口 集成的 QCM 和 Gamry 恒電位儀采集 阻抗掃描有 fs 和 fp，即串聯諧振和并聯諧振頻率 在 Gamry 靈活和可定制的 Echem Analyst? 中進行數據分析

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能夠測量石英晶片或所吸附薄膜的頻率變化及能量耗散，進而分析反應過程中微小的質量變化，吸附層厚度變化等；能夠判斷膜的剛性或柔性，并且分析膜的粘彈性方面的性質；以及實時追蹤分子排列、結構變化等. 阻抗型、耗散型石英晶體微天平 判斷薄膜的剛性與柔性 測量耗散，分析膜的粘彈性 吸附、成膜等過程中的微小質量變化，分析膜的厚度、質量等 實時追蹤反應過程中的分子排列、結構變化......

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可以與Gamry電化學工作站同步運行，能夠測量石英晶片或所吸附薄膜的頻率變化及能量耗散，進而分析反應過程中微小的質量變化，吸附層厚度變化等；能夠判斷膜的剛性或柔性，并且分析膜的粘彈性方面的性質；以及實時追蹤分子排列、結構變化等. 阻抗型、耗散型石英晶體微天平 判斷薄膜的剛性與柔性 測量耗散，分析膜的粘彈性 吸附、成膜等過程中的微小質量變化，分析膜的厚度、質量等 實時追蹤反應過程中的分子排列、結構變化......

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石英晶體微量天平SYTP-1 石英晶體微量天平全新智能觸摸升級產品技術特點1:7寸寬大觸摸屏操控，當前溫度、設定溫度，探頭頻率，溫度修正，溫度曲線、頻率曲線等信息一體化顯示，操作非常簡便。2：支持儀器單獨操作使用，支持連接電腦使用。3：多種通訊方式，USB和網口傳輸數據。4：支持U盤保存歷史數據，配套的上位機也支持歷史數據保存。技術參數頻率10MHz質量靈敏度2.26×10^8Hz/ （g/cm2）質量范圍4.42×10-9g/cm2～4.42×10-4g/cm2罐內電纜及天平傳感器工作環境-196℃-7

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QCM200石英晶體微天平可測量物體表面或者薄膜等物質反映過程中的質量和粘性。這個系統包括一個控制器、 晶體振蕩器、 水晶樣品架、 三個石英晶體和 Windows / Mac 軟件（QCM200）。

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       見微知著， Q-sense Pro**********儀器簡介**********QCM-D技術的核心是石英晶體傳感器，它由石英晶體夾在兩片電極中間形成三明治結構。在電極兩端加入一個交流電壓，在傳感器的共振頻率處引發一個小的剪切振動，當交流電壓關閉后，振動呈指數衰減，這個衰減被記錄下來，得到共振頻率(f)和耗散因子(D)兩個參數。對于薄層硬質薄膜，可以使用Sauerbrey關系和公式，根據傳感器振動計算吸附層的質量。當沉積的薄膜松散和粘性時，能量通過

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QCM-D技術的核心是石英晶體傳感器，它由石英晶體夾在兩片電極中間形成三明治結構。在電極兩端加入一個交流電壓，在傳感器的共振頻率處引發一個小的剪切振動，當交流電壓關閉后，振動呈指數衰減，這個衰減被記錄下來，得到共振頻率(f)和耗散因子(D)兩個參數。 對于薄層硬質薄膜，可以使用Sauerbrey關系和公式，根據傳感器振動計算吸附層的質量。當沉積的薄膜松散和粘性時，能量通過薄膜上的摩擦被消耗，傳感器的振動發生衰減，耗散因子提供了傳感器上吸附的薄膜的結構信息。通過使用多個頻率和耗散因子數據，使用粘彈

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**********儀器簡介**********QCM-D技術的核心是石英晶體傳感器，它由石英晶體夾在兩片電極中間形成三明治結構。在電極兩端加入一個交流電壓，在傳感器的共振頻率處引發一個小的剪切振動，當交流電壓關閉后，振動呈指數衰減，這個衰減被記錄下來，得到共振頻率(f)和耗散因子(D)兩個參數。對于薄層硬質薄膜，可以使用Sauerbrey關系和公式，根據傳感器振動計算吸附層的質量。當沉積的薄膜松散和粘性時，能量通過薄膜上的摩擦被消耗，傳感器的振動發生衰減，耗散因子提供了傳感器上吸附的薄膜的結構信息。通過

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eQCM 10M電化學石英晶體微天平是一種快速，具備阻抗掃描的電化學石英晶體微天平（EQCM）。

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產品描述：產品簡介：實時、無標記追蹤表面反應：分子相互作用、表面吸脫附、流體性質德國3T analytik公司是一家專業從事石英晶體微分析儀（QCM）研發和生產的企業，也是世界上少數掌握石英晶體實時能量耗散追蹤技術（Damping/Dispassipation）的企業。其設計開發的3T analytik系列石英晶體微天平作為一款具有zuixin設計理念的產品，具有緊湊的設計、人性化的細節以及全自動控制的功能，具有行業最yi流的量程、靈敏度及穩定性，可視作是新一代耗散型石英晶體微天平的翹楚。3T analy

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產品描述：產品簡介：實時、無標記追蹤表面反應：分子相互作用、表面吸脫附、流體性質德國3T analytik公司是一家專業從事石英晶體微分析儀（QCM）研發和生產的企業，也是世界上少數掌握石英晶體實時能量耗散追蹤技術（Damping/Dispassipation）的企業。其設計開發的3T analytik系列石英晶體微天平作為一款具有zuixin設計理念的產品，具有緊湊的設計、人性化的細節以及全自動控制的功能，具有行業最yi流的量程、靈敏度及穩定性，可視作是新一代耗散型石英晶體微天平的翹楚。3T analy

供應商：上海熱冰電子科技有限公司

產品特點： 1、質量測定：測試表面形成的分子層的質量，精度達到毫微克。例如，可檢測到1%或更低濃度蛋白質單分子層的結構變化 2、結構變化：同步測試結構變化，因此可以區分兩個相似的鍵合反應或觀察到吸附層上發生的相轉變 3、實時分析：可以進行實時記錄和動力學評估 4、無須標記：無須對分子做標記，儀器測定的是分子本身 5、柔性的表面選擇：適用于任何能形成薄膜的表面如金屬、高分子、化學改性表面等 6、流量測試：特別設計的樣品池可以在控溫環境下進行流量測定

供應商：愛譜斯中國有限公司

電化學石英晶體微天平EQCM作為高靈敏度的測試儀器， 它可以測量在傳感器表面或附近吸附層ng級的“濕質量”。

供應商：愛譜斯中國有限公司

耗散型石英晶體微天平QCM-D是基于石英晶體的阻抗分析，測量諧振頻率和諧振電導曲線的峰寬。諧振電導曲線的峰寬或半峰寬與耗散因子（Q）直接相關。

供應商：微納立方科技(北京)有限公司

此設備采用模塊化輕量設計，有1通道和4通道可供選擇，可集成溫度控制模塊和流量控制模塊（通道均單獨控制），具體配置可根據您的具體需求和預算來搭配。

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A-Z系列晶體列表A-F系列G-H系列L-N系列P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGa2O3-?LiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 單晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2GaSbLaF3SrTiO3(國產,進口,Ti面終止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通；熱解)LGS 硅酸鎵鑭SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si(超薄Si片)Bi2Te3GGG(Gd3

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產品名稱：氮化鋁(AlN)薄膜產品簡介：AllNEpitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！技術參數：尺寸dia50.8mm±1mm藍寶石襯底取向c軸（0001)±1.0deg襯底：Al2O3;SiC;GaN薄膜厚度：10-5000nm導電類型：半絕緣型位錯密度：XRDFWHMof<0002><500arcsec;XRDFWHMof<10-12><1500arcs

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產品名稱：鈧酸釓(GdScO3)晶體基片產品簡介：與鈣鈦礦結構的超導體有很好的晶格匹配，的鐵電薄膜襯底材料技術參數：晶體結構(A)熔點oC密度g/cm3生長方法GdScO3正交 a=5.45b=5.75 c=7.9321276.6提拉法產品規格：<110>, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm單拋，Ra<5A標準包裝：1000級超凈室100級超凈袋真空包裝相關產品：A-Z系列晶體列表清洗機基片包裝盒系列劃片機旋轉涂層機

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產品型號：SrTiO3鈦酸鍶單晶基片產品簡介：SrTiO3單晶與多種鈣鈦礦結構材料晶格匹配好，它是高溫超導薄膜和多種氧化物薄膜優質的襯底材料，同時還廣泛應用于特殊光學窗口及高質量的濺射靶材?？凭Ч緭碛歇毩⑷咨a線，從高質量SrTiO3粉末，SrTiO3單晶到多種尺寸外延拋光基片，可為全球提供高質量低價位的SrTiO3單晶及基片。技術參數：晶體結構立方晶格常數a=3.905?生長方法火焰法熔點2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs熱膨脹系數9.4×10-6/℃介電常數~ 300損耗正切~

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產品名稱：氧化鎂(MgO)晶體基片產品簡介：氧化鎂（MgO）是極好的單晶基片而廣泛應用于制作鐵電薄膜、磁學薄膜、光電薄膜和高溫超導薄膜等，由于它在微波波段的介電常數和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英及更大），所以是當前產業化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一?？捎糜谥谱饕苿油ㄓ嵲O備所需的高溫超導微波濾波器等器件?？凭Ч居靡环N特殊的電弧法生長出高純度的尺寸約2”x2”x1”的低成本的MgO單晶，采用化學機械拋光制備出高質量原子級表面的基片。技術參數：晶體結構立方晶格常數a=4.216?生長方法電弧法

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產品名稱：鋁酸鑭(LaAlO3)晶體基片產品簡介：LaAlO3晶體對多種鈣鈦礦結構材料晶格匹配好，是外延生長高溫超導薄膜和巨磁阻薄膜極好的襯底材料，其介電性能適合于低損耗微波及介電共振方面的應用?？凭Ч臼鞘澜缟犀F有鋁酸鑭單晶最大的生長廠家，每月能生產10～20公斤，可以提供棒、切割毛坯片及外延拋光基片，能滿足全球市場上的各種需求。技術參數：晶向：<100>、<110>、<111>、晶體結構：贗立方晶格常數：a=3.792?生長方法：提拉法熔點：2080℃密度：6.52

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產品名稱：鋁酸鍶鉭鑭(LSAT)晶體基片產品簡介：LSAT(La,Sr)(Al,Ta)O3是一種新的無孿晶鈣鈦礦晶體。LSAT與高溫超導體及多種氧化物材料有完好的匹配。LSAT的熔點低，用提拉法生長，成本比較低。因此，它有望取代LaAlO3/SrTiO3作為外延氧化物薄膜單晶基片廣泛用于巨磁鐵電及超導器件。技術參數：化學式：(La,Sr)(Al,Ta)O3晶體結構：立方：a=3.868?生長方法：提拉法密度：6.74g/cm3熔點：1840℃硬度：6.5Mohs熱膨脹系數：10×10-6/K介電常數：~2

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產品名稱：非極性氮化鎵(GaN)晶體基片產品簡介：技術參數：晶體定位面：Aplane<11-20>+/-1;Mplane<1-100>+/-1°.傳導類型：N型；半絕緣型電阻率：R<0.5Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位錯密度：<5x106Ω.cm可用表面積：>90%TTV:≤15um；產品規格：常規尺寸：10x5x0.5mm；厚度公差：+/-0.05mm；注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。標準包裝：1000級超凈室100級超凈袋

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產品名稱：三氧化二鋁(Al2O3)產品簡介：Al2O3（Sapphire,又稱白寶石，藍寶石）有著很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，并且防化學腐蝕，它耐高溫，導熱好，硬度高，透紅外，化學穩定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料，為滿足日益增長的藍、紫、白光發光二極管（LED）和藍光激光器（LD）的需要，科晶公司專業生產高質量的藍寶石晶體和外延拋光基片，將為您提供大量高質量低價格的單晶和基片。技術參數：晶體結構：六方a=4.758?c=12.992?結晶方向：(1

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產品名稱：硅鍺(Si-Ge)晶體基片產品簡介：Al2O3（Sapphire,又稱白寶石，藍寶石）有著很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，并且防化學腐蝕，它耐高溫，導熱好，硬度高，透紅外，化學穩定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料，為滿足日益增長的藍、紫、白光發光二極管（LED）和藍光激光器（LD）的需要，科晶公司專業生產高質量的藍寶石晶體和外延拋光基片，將為您提供大量高質量低價格的單晶和基片。技術參數：單晶:Si-Ge（wt2%）導電類型:Ptype電阻:7-8

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產品名稱：進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片技術參數：基本特性晶體結構正交晶格常數a=5.406 ?b=5.012 ? c=6.379 ?生長方法提拉法密度4.18 g/cm3熔點1600oC硬度7.5顏色和外觀白色到棕色，沒有攣晶和包裹物產品規格：常規晶向：<001 >、<100>；常規尺寸：10 x 10 x 0.5 mm；拋光情況：外延拋光基片；單拋或雙拋；注：可根據客戶需求提供特殊尺寸和晶向標準包裝：1000級超凈室100級超凈袋相關產品：A-Z系列晶體列表等離子清洗機基片

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產品名稱：氮化鎵(GaN)晶體基片產品簡介：GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。技術參數：制作方法：HVPE（氫化物氣象外延法）傳導類型：N型；半絕緣型電阻率：R<0.5Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位錯密度：<5x106Ω.cm可用表面積：>9

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產品名稱：鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片產品簡介：鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結構而難以生長，經過幾年的努力，目前科晶公司能夠提供世界上質量zuiyou尺寸的MgAl2O4晶體。技術參數：晶體結構立方晶格常數a=8.085?生長方法提拉法熔點2130℃密度3.64g/cm3莫氏硬度8 Mohs熱膨脹系數7.45×10-6/℃聲速6500m/s ,[100]剪切波傳播損耗（9GHz)

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A-Z金屬箔片合肥科晶公司提供各種尺寸A-Z金屬箔片，常規厚度0.1毫米，純度>3N ，歡迎垂詢。Ag銀箔Al鋁箔Au金箔Cu銅箔Co鈷箔Cr鉻箔Li鋰箔In銦箔Ni鎳箔Mo鉬箔Pb鉛箔Ti鈦箔 Ta鉭箔V釩箔W鎢箔Zr鋯箔 不銹鋼箔 ……

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產品名稱：鎢（W）箔產品尺寸：常規尺寸：0.01-1mm，具體可按照客戶要求加工尺寸標準包裝：1000級超凈室100級超凈袋真空包裝